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中高壓MOS管 - MPD04N65

  • 中高壓MOS管
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650V, 4A, RDS (ON)(Max.)= 2.7Ω@VGS = 10V.
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產(chǎn)品型號:
MPD04N65
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產(chǎn)品介紹

不同的封裝尺寸MOS管具有不同的熱阻和耗散功率,需要考慮系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度(如是否有風(fēng)冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素),基本原則就是:在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下,選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。


一、中高壓MOS管 -?MPD04N65的特性:

650V, 4A, RDS (ON)(Max.)= 2.7Ω@VGS = 10V.

低Crss
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二、中高壓MOS管 -?MPD04N65的應(yīng)用:

充電器

儲用功率

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